OptiMOS power-MOSFET’s

Ze zijn speciaal geoptimaliseerd voor toepassingen waarbij parallelle aansluitingen nodig zijn en hebben de laagst mogelijke R_DS(on) op een printoppervlak van slechts 5×6 mm. De OptiMOS-familie heeft ook veel minder parasitaire behuizingproblemen en uitstekende thermische prestaties. Het belangrijkste kenmerk van de source-down behuizing is de oriëntatie van de actieve zijde van de siliciumchip naar de onderkant van de component. Gecombineerd met de versterkte clip aan de bovenkant van de siliciumchip worden parasitaire problemen ten gevolge van de behuizing aanzienlijk verminderd, terwijl de thermische prestaties naar een hoger niveau worden getild.