De nieuwe Machineverordening vraagt om meer dan machineveiligheid alleen
Vanaf 20 januari 2027 verandert er veel voor machinebouwers. Dan wordt cybersecurity een vast…
Met de CoolGaN Drive HB 600 V G5 breidt Infineon Technologies zijn GaN-portfolio uit met een sterk geïntegreerde halve-brug-oplossing die vermogenstransistoren plus gate-driver combineert in een compacte behuizing.
De CoolGaN Drive HB 600 V G5 integreert twee CoolGaN 600V G5-transistoren met een ‘on chip’ high side/low side gatedriver inclusief ‘level shifter’ en ‘bootstrap’-diode. Deze hoge mate van integratie vermindert de externe schakelingen aanzienlijk, vereenvoudigt de printlayout en ondersteunt snelle, reproduceerbare systeemintegratie. De chip is ondergebracht in een compacte TFLGA-27-behuizing (6 × 8 mm), waardoor een hoge vermogensdichtheid mogelijk is bij minimale ruimte op de printplaat. De geïntegreerde driver ondersteunt de PWM-compatibele aansturing en een instelbare dv/dt-regeling, waardoor ontwerpers het schakelgedrag en de EMC-prestaties nauwkeurig kunnen afstemmen. Dankzij de typische GaN-eigenschap van nul reverse-recoverylading (zero-Qrr) en een zeer korte looptijdvertraging van typisch 98 ns met een geringe kanaalmismatch, is de CoolGaN Drive HB 600 V G5 bijzonder geschikt voor hoogfrequente, zeer efficiënte vermogensomvormers. De geïntegreerde gate-driver werkt op een enkele 12V-voeding. De componentenfamilie is JEDEC-gekwalificeerd en ontworpen voor gebruik in veeleisende omgevingen. Typische toepassingen zijn onder andere consumentenelektronica, industriële toepassingen en lichte elektrische voertuigen, waar een hoog rendement, compacte afmetingen en een korte ‘time to market’ belangrijke vereisten zijn.
Vanaf 20 januari 2027 verandert er veel voor machinebouwers. Dan wordt cybersecurity een vast…
Voor de zwaarste industriële toepassingen presenteert AE Sensors de nieuwe MicroStrain MV7-AR inertial measurement…
Van 22 tot en met 25 september 2026 staat Rotero op de World of…
