SiC vermogens-MOSFET’s

Met zijn Gen3 SiC-MOSFET’s zet Bosch nieuwe maatstaven voor prestaties en systeemoptimalisatie. De componenten zijn ontworpen om schakelverliezen verder te verminderen, de efficiëntie te verhogen en compactere systeemontwerpen mogelijk te maken. Dit resulteert in aanzienlijke verbeteringen in energie-efficiëntie en thermisch beheer, met name in hoogspanningsapplicaties. Een belangrijk voordeel van deze nieuwe generatie is de geoptimaliseerde balans tussen geleidingsverliezen en schakelgedrag, waardoor de totale systeemverliezen worden geminimaliseerd. Dit is vooral relevant voor toepassingen met hoge schakelfrequenties en dynamische belastingomstandigheden. Bovendien dragen de Gen3 SiC-MOSFET’s bij aan een hogere vermogensdichtheid, waardoor compactere en lichtere systeemontwerpen mogelijk zijn.