Vermogens-MOSFET’s met snelle hersteldiodes

De zeven nieuwe producten zijn verkrijgbaar in TO-247-, TOLL- en DFN 8×8-behuizingen, waardoor engineers opties hebben die een balans bieden tussen vermogensverwerking, thermische prestaties, schakelrendement en mogelijkheden voor systeemminiaturisatie voor uiteenlopende toepassingen. De nieuwe producten maken gebruik van een technologie waarbij opzettelijk defecten in de diode worden geïntroduceerd om de recombinatiesnelheid van ladingsdragers te verhogen. Deze techniek verbetert de herstelprestaties van de interne diode, een cruciale vereiste voor brug- en invertercircuits. De DTMOSVI 600V-serie, inclusief de nieuwe producten, verlaagt Toshiba’s geoptimaliseerde gate-ontwerp en -proces, het product van drain/source-weerstand en de totale gate-lading met ongeveer 36%, alsmede het product van drain/source-weerstand en gate/drain-lading met ongeveer 52%.