N-channel MOSFET voor vermogenstoepassingen

Hij is geoptimaliseerd voor schakelende voedingen die worden gebruikt in datacenters, maar ook in industriële apparatuur zoals efficiënte DC/DC-omvormers, schakelende spanningsregelaars en motordrivers. Door de toepassing van het U-MOS11-H-proces bereikt de TPHR6704RL een typische ‘drain/source’-weerstand (R_DS(ON)) van 0,52 mΩ bij een gate/source-spanning (V_GS) van 10 V, en een maximale R_DS(ON) van 0,67 mΩ bij een V_GS van 10 V. De TPHR6704RL helpt ontwerpers om EMI in schakelende voedingen te verminderen door spanningspieken tussen de drain en de source tijdens het schakelen te minimaliseren. De TPHR6704RL biedt ook robuuste stroom- en thermische prestaties, met een drainstroom (I_D) tot 420 A en een thermische weerstand tussen kanaal en behuizing van 0,71 °C/W bij 25 °C, waardoor een stabiele werking onder hoge belasting mogelijk is. De MOSFET werkt over een breed temperatuurbereik, met een maximale kanaaltemperatuur (T_ch) van 175 °C, wat betrouwbare werking in veeleisende industriële omgevingen garandeert.