N-kanaal MOSFET’s voor automotive toepassingen

De XPH2R608QB en XPH3R908QB zijn ondergebracht in de SOP Advance (WF)-behuizing (WF staat voor ‘wettable flanks’). Door gebruik te maken van Toshiba’s U-MOSX-H-proces bereiken de producten een lage ‘on-weerstand’ (R_DS(ON)), waardoor ontwerpers de efficiëntie in hun 48V-systemen kunnen maximaliseren. Dit verbetert de prestaties en verlengt de levensduur van de accu van de auto. De R_DS(ON) bedraagt ​​2,55 mΩ (max.) voor de XPH2R608QB, met een totale gate-lading van 95 nC (typ.), en 3,9 mΩ (max.) en 63 nC (typ.) voor de XPH3R908QB. Beiden bij een ‘gate-source’-spanning van 10 V (max.). Bovendien vermindert de SOP WF-behuizing, voorzien van een koperen verbindingsstructuur, de behuizingsweerstand van de MOSFET. Dit verbetert de efficiëntie, bevordert de warmte-afvoer en verhoogt de betrouwbaarheid van het systeem. Het ontwerp met ‘wettable flanks’ verbetert de zichtbaarheid van de soldeerverbindingen, waardoor het eenvoudiger wordt om de montage op de printplaat te verifiëren met behulp van geautomatiseerde optische inspectie-apparatuur. De XPH2R608QB en XPH3R908QB zijn geschikt voor toepassing in besturingen voor borstelloze DC-motoren van het N-kanaaltype, evenals in niet-geïsoleerde DC/DC-‘buckconverterschakelingen’.