Compacte 650V SiC-MOSFET’s

Een belangrijk kenmerk van het derde-generatie proces is de consistent lage temperatuurcoëfficiënt van de ‘drain/source on’-weerstand (R_DS(ON)) van de halfgeleiders. De lage waarde van het product van R_DS(ON) en ‘gate/drain’-lading stelt ingenieurs in staat om de vermogensdichtheid en efficiëntie van talloze hoogspanningstoepassingen te verbeteren, waaronder schakelende voedingen, laadstations voor elektrische voertuigen, onderbrekingsvrije voedingen en fotovoltaïsche omvormers. De DFN8x8 SMD-behuizing reduceert het volume met ruim 90% vergeleken met bestaande behuizingen met aansluitdraden, zoals de TO-247 en TO-247-4L(X). Hierdoor wordt de vermogensdichtheid van de apparatuur verbeterd en is geautomatiseerde assemblage mogelijk.