1200 V SiC-MOSFET

De nieuwe TW070J120B vermogens-MOSFET is gebaseerd op siliciumcarbide, een nieuw materiaal met een grote bandgap waarmee componenten kunnen worden geconstrueerd die een hoge spanningsbestendigheid, hoge schakelsnelheid en een lage on-weerstand hebben in vergelijking met conventionele MOSFET’s en IGBT’s die op silicium zijn gebaseerd. Hierdoor kan de nieuwe MOSFET een bijdrage leveren aan een geringer stroomverbruik en een hogere vermogensdichtheid, wat mogelijkheden biedt om systemen te verkleinen. De TW070J120B heeft een kleine ingangscapaciteit (CISS) van 1680 pF (typ.), een lage gate-ingangslading (Qg) van 67 nC (typ.) en een drain-source on-weerstand (RDS_ON ) van slechts 70 mΩ (typ.). De nieuwe TW070J120B MOSFET in een TO-3P(N)-behuizing zal het ontwerpen van efficiëntere vermogensontwerpen mogelijk maken, vooral in industriële toepassingen, waar de grotere vermogensdichtheid ook zal bijdragen aan een kleinere en lichtere apparaten.