Vermogens-MOSFET’s voor schakelende voedingen

De TPH1100CQ5 en TPH1400CQ5 zijn speciaal ontworpen voor gebruik in hoogwaardige schakelende voedingen, zoals die worden gebruikt in datacenters en communicatiebasisstations, evenals andere industriële toepassingen. Met een maximale drain/source-spanning (V_DSS) van 150 V en een drain-stroom (I_D) van 49 A (TPH1100CQ5) en 32 A (TPH1400CQ5), hebben de nieuwe transistoren een maximale drain/source on-weerstand (R_DS(ON)) van respectievelijk 11 mΩ en 14 mΩ. De nieuwe transistoren bieden verbeterde reverse recovery-eigenschappen die cruciaal zijn in synchrone gelijkrichttoepassingen. In het geval van de TPH1400CQ5 wordt de reverse recovery-lading (Q_rr) met ongeveer 73% verminderd tot 27 nC (typ.) en is de reverse recovery-tijd (t_rr) van 36 ns (typ.) ongeveer 45% korter vergeleken met bestaande MOSFET’s van Toshiba, zoals de TPH1400CQH, die dezelfde spanning en R_DS(ON) biedt.