Uitbreiding van het MSM II-platform
Met de MSM II XP breidt SCHURTER het beproefde MSM II-platform uit met een…
In een ultracompacte DFN2020(D)-6-behuizing heeft Nexperia een reeks dual 500mA-transistoren met geïntegreerde weerstand uitgebracht.
Deze componenten zijn ontworpen voor het schakelen van belastingen in wearables en smartphones, maar ook voor gebruik in digitale schakelingen waar grotere stromen voorkomen, zoals in compacte computers, communicatie- en industriële apparatuur en automotive toepassingen. Om het aantal componenten te verminderen en de print-layout te vereenvoudigen, combineren de twaalf nieuwe RET’s (resistor equipped transistors) twee BJT’s met instelweerstanden die in de behuizing zijn geïntegreerd. Ze bevatten nog een tweede geïntegreerde weerstand parallel aan de basis/emitter-junctie om een spanningsdeler te creëren waarmee de basisspanning wordt ingesteld. Dit biedt een nauwkeuriger instelling en een beter uitschakelgedrag. Omdat deze interne weerstanden een grotere tolerantie hebben dan externe weerstanden, zijn RET’s geschikt voor schakeltoepassingen waarbij de transistors ofwel aan ofwel uit zijn, waardoor de temperatuurafhankelijkheid van standaard BJT’s wordt omzeild. Ook worden op deze manier de kosten verlaagd die gepaard gaan met pick&place- of handmatige verwerking.
Met de MSM II XP breidt SCHURTER het beproefde MSM II-platform uit met een…
Vanaf 20 januari 2027 verandert er veel voor machinebouwers. Dan wordt cybersecurity een vast…
Voor de zwaarste industriële toepassingen presenteert AE Sensors de nieuwe MicroStrain MV7-AR inertial measurement…
