650-V N-kanaal power-MOSFET

De nieuwe componenten zullen voornamelijk worden gebruikt in voedingen voor industriële en verlichtingsdoeleinden en andere toepassingen waar uiterste efficiëntie met een kleine vormfactor gecombineerd moet worden. De nieuwe MOSFET’s (TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z en TK190E65Z) hebben een 40% lager product van de drain-source on-weerstand (R_DSON ) en de gate-drain lading (Q_gd ) vergeleken met de vorige DTMOS-generatie. Dit uit zich in een aanzienlijke afname van schakelverliezen ten opzichte van eerdere componenten. Als gevolg hiervan zullen ontwerpen waarin de nieuwe MOSFET’s zijn verwerkt, een hoger rendement vertonen. De vier nieuwe componenten bieden alle een drain-source spanning (V_DSS ) van 650 V bij een drainstroom (ID) van maximaal 30 A. De drain-source on-weerstand bedraagt slechts 0,09 Ω en de gate-drain lading bedraagt slechts 7,1 nC, waardoor weinig verliezen optreden bij high-speed applicaties. Alle MOSFET’s hebben een industriestandaard TO-220 through-hole behuizing.