-30 V p-kanaal power-MOSFET

Met deze uiterst geringe ON-weerstand en een thermisch geoptimaliseerde SO-8 PowerPAK-behuizing van 6,15 x 5,15 mm is de TrenchFET Gen IV SiRA99DP bij uitstek geschikt om de vermogensdichtheid van applicaties te vergroten. De lage ON-weerstand van deze MOSFET – een reductie van 43% vergeleken met andere producten op de markt – vermindert de spanningsval en minimaliseert dissipatie, waardoor die grotere vermogensdichtheid mogelijk wordt. Door de lage _RDS(ON) te combineren met een ultralage gatelading van 84 nC, levert de SiRA99DP de beste waarde voor de gatelading maal ON-weerstand (185 mΩ * nC), een belangrijke karakteristiek voor MOSFET’s die worden gebruikt in schakeltoepassingen.