Schottky-diodes voor schakelende voedingen

De nieuwe reeks SiC-diodes omvat modellen voor 4 tot 40 A in TO-22OAC 2L en TO-247AD 3L through-hole behuizingen en D²PAK 2L (TO-263AB 2L) SMD-behuizingen. De MPS-structuur vermindert hun voorwaartse spanningsval met 0,3 V in vergelijking met eerdere oplossingen, terwijl het product van de voorwaartse spanningsval en de capacitieve lading – een belangrijke maat voor energie-efficiëntie – 17% lager is. De typische reverse lekstroom van de diodes is 30% lager bij kamertemperatuur en 70% lager bij hoge temperatuur dan van de beste bestaande oplossing. Dit vermindert geleidingsverliezen en garandeert een hoge systeemefficiëntie bij geringe belasting en vrijloop. In tegenstelling tot ultrasnelle diodes hebben de Gen 3-componenten vrijwel geen recovery tail, wat de efficiëntie nog verder verbetert.