Power-MOSFET voor automobiele toepassingen

De component voldoet aan de eisen zoals in de AEC-Q101-standaard omschreven staan. De nieuwe vermogens-MOSFET bereikt een uiterst lage on-weerstand doordat de chip op basis van het U-MOS VI trench-proces in een TO-220SM-behuizing met een koperconnector is gemonteerd. Door de lage on-weerstand worden verliezen in elektronische schakelingen gereduceerd. De belangrijkste specificaties luiden: V_DSS = -40 V, I_D = -200 A and R_DS(ON) max = 1,8 mΩ bij V_GS = 10 V. De power-MOSFET verdraagt een maximale kanaaltemperatuur van 175 °C.