Industriële transistoren met lage ON-weerstand

Dankzij hun hoge robuustheid zijn ze voorbestemd voor gebruik in onder andere elektrische voertuigen, industriële aandrijvingen en lucht- en ruimtevaarttoepassingen. De MOSFET’s zijn verkrijgbaar samen met de bijbehorende modules en drivers, alsmede ‘half bridge’ evaluatieboards. De SiC-MOSFET’s profiteren van een betere componentstructuur op basis van het oorspronkelijke double-trench ontwerp. Zo bereiken ze een tot 40% lagere inschakelweerstand met een aanzienlijk hogere robuustheid dan vergelijkbare componenten. Door parasitaire effecten zoals de gate/drain-capaciteit drastisch te verminderen, worden de schakelverliezen sterk gereduceerd. In tegenstelling tot de derde generatie SiC MOSFET’s ondersteunt de vierde generatie een flexibeler gatespanningsbereik van 15…18 V. Dit maakt de ontwikkeling van een gatedriver-schakeling mogelijk die ook kan worden gebruikt voor bipolaire transistoren met geïsoleerde gate (IGBT’s) bij hoge stromen. De componenten verdragen een thermische belasting tot +175 °C en kunnen eenvoudig parallel worden aangesloten en aangestuurd.