GaN-FET’s voor zware toepassingen

De onsemi GaNEXUS GaN FET’s maken hogere werkfrequenties, een grotere vermogensdichtheid en minder magnetisme mogelijk bij vermogensconversietoepassingen over lage, midden-, hoge en ultrahoge spanningsbereiken. De discrete GaN-transistoren met hoge elektronenmobiliteit (HEMT’s) bieden een spanningsbereik van 40 tot 650 V, inclusief 650 V GaNEXUS Smart GaN FET’s met geïntegreerde bescherming om de betrouwbaarheid te verbeteren en de systeemintegratie te vereenvoudigen. GaNEXUS-oplossingen zijn ontworpen om de manier te verbeteren waarop moderne energiesystemen energie omzetten en beheren, waardoor engineers de ontwerpcomplexiteit kunnen vereenvoudigen, de ontwikkeling en kwalificatie kunnen versnellen, de thermische en koelingsvereisten kunnen verminderen en de prestaties over de volledige voedingsketen kunnen optimaliseren.