Fotodiodes van UV tot IR

Deze InGaAs-fotodiodes hebben een sensoroppervlak met een diameter tot 3 mm, een lage donkerstroom en een hoge gevoeligheid. Naast fotodiodes voor de standaardgolflengtes van 800 nm tot 1700 nm (verkrijgbaar als chip of in een hermetisch gesloten TO-behuizing) levert Epigap extended InGaAs-fotodiodes die een verbeterde gevoeligheid in het hoge IR-bereik tot 2600 nm vertonen.