Diode voor efficiencyverbetering voedingen

Deze generatie heeft een superjunction-structuur die geschikt is voor het schakelen van voedingen in veeleisende toepassingen, waaronder datacenters en stroomconditioners voor fotovoltaïsche (PV) generatoren. De twee nieuwe power MOSFET’s maken gebruik van intrinsieke ‘high speed’ diodes om de belangrijke ‘reverse recovery’-karakteristieken te verbeteren om brug- en invertercircuittoepassingen te verbeteren. In vergelijking met de standaard DTMOS VI-producten bereiken deze MOSFET’s een vermindering van 65% van de omgekeerde hersteltijd (trr) met waarden van respectievelijk 160 ns en 115 ns. Vergeleken met standaard MOSFET’s van Toshiba verminderen de nieuwe producten de reverse recovery charge (Qrr) met 88% en onttrekken ze de afschakelstroom bij hoge temperaturen tot 90% (TK042N65Z5). Bovendien is de (RDS(ON)-waarde met ongeveer 72% verlaagd in vergelijking met de bestaande TK62N60W5 van Toshiba. De vermogensverliezen van apparatuur worden hierdoor verminderd, wat de efficiëntie ten goede komt. De TK042N65Z5 en TK095N65Z5 hebben RDS(ON)-waarden van respectievelijk 42 mΩ en 95 mΩ. Ze zijn in staat om stromen (ID) tot 55 A en 29 A te leveren. Beide componenten zijn ondergebracht in een kleine TO-247-behuizing. Een nieuw referentie-ontwerp voor een verbeterde 1,6 kW servervoeding is nu beschikbaar op basis van de nieuwe TK095N65Z5.