Derde generatie SiC MOSFET’s

De MOSFET’s zijn geschikt voor een breed scala aan veeleisende stroomtoepassingen, waaronder geschakelde voedingen (SMPS) in servers, datacenters en communicatieapparatuur, ononderbroken stroomvoorzieningen (UPS), EV-laadstations en stroomconditioners voor PV-omvormers. Vergeleken met behuizingen zoals de TO-247 en TO-247-4L(X), verminderen deze nieuwe onderdelen het volume aanzienlijk met meer dan 80%. Bovendien zorgt de kleinere behuizing voor minder parasitaire impedantiecomponenten wat leidt tot een vermindering van de schakelverliezen. De TOLL-behuizing heeft 9 aansluitingen met 4 om het gebruik van een Kelvin-aansluiting voor de signaalbron voor de gate-aandrijving te vergemakkelijken. Dit geavanceerde ontwerp minimaliseert de invloed van inductie in de gateaansluiting, waardoor snelle schakelprestaties worden bereikt. De 3^e generatie SiC-MOSFET’s van Toshiba hebben een geoptimaliseerde driftweerstand en kanaalweerstandsverhouding, wat leidt tot een goede temperatuurafhankelijkheid van RDS_on in een breed scala aan bedrijfsomstandigheden. Alle modellen hebben een maximale werkspanning van 650 V en een breed ‘gate-source’-spanningsbereik van -10 tot 25 V, waardoor compatibiliteit voor verschillende gate-aandrijfcircuits mogelijk is. De poortdrempelspanning (Vth) varieert doorgaans van 3,0 tot 5,0 V, wat ook helpt om het circuitontwerp te vereenvoudigen. Bovendien zorgt de hoge verversingsstroomclassificatie (ID) voor een robuuste werking onder veeleisende omstandigheden, waardoor de betrouwbaarheid van het systeem wordt verbeterd.