Ontmoet Rotero tijdens WoTS 2026
Van 22 tot en met 25 september 2026 staat Rotero op de World of…
Voor automotive toepassingen introduceert Toshiba een tweetal 40-V N-kanaal MOSFET’s, gebaseerd op het nieuwste U-MOS IX-H-proces.
De componenten zijn ondergebracht in een nieuwe S-TOGLTM-behuizing (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) die een aantal voordelen biedt in automotive applicaties. Voor veiligheidskritische toepassingen in de automotive sector, zoals stuur- en rembekrachtiging en autonome aandrijfsystemen, zijn over het algemeen meer componenten nodig dan voor andere systemen om aan de redundantie-eisen te voldoen. Hier is een vermogens-MOSFET met hoge stroomdichtheid vereist vanwege de ruimtelijke beperkingen in dergelijke toepassingen. De nieuwe XPJR6604PB en XPJ1R004PB hebben een VDSS van 40 V; de XPJR6604PB is geschikt voor een continue drainstroom (ID) van 200 A (160 A bij de XPJ1R004PBA). Beide componenten zijn geschikt voor gepulste stromen (IDP) van 3x deze waarde, dus respectievelijk 600 A en 480 A.
Van 22 tot en met 25 september 2026 staat Rotero op de World of…
De veiligheidslichtschermen PSENopt en PSENopt II van Pilz beschermen medewerkers en machines op een…
Voor veel organisaties in energie, water, infrastructuur en industrie is het OT-netwerk uitgegroeid tot…
