Actieve componenten/microcontrollers

21 november 2023

Automotive MOSFET’s in nieuwe behuizing

Voor automotive toepassingen introduceert Toshiba een tweetal 40-V N-kanaal MOSFET’s, gebaseerd op het nieuwste U-MOS IX-H-proces.

De componenten zijn ondergebracht in een nieuwe S-TOGLTM-behuizing (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) die een aantal voordelen biedt in automotive applicaties. Voor veiligheidskritische toepassingen in de automotive sector, zoals stuur- en rembekrachtiging en autonome aandrijfsystemen, zijn over het algemeen meer componenten nodig dan voor andere systemen om aan de redundantie-eisen te voldoen. Hier is een vermogens-MOSFET met hoge stroomdichtheid vereist vanwege de ruimtelijke beperkingen in dergelijke toepassingen. De nieuwe XPJR6604PB en XPJ1R004PB hebben een VDSS van 40 V; de XPJR6604PB is geschikt voor een continue drainstroom (ID) van 200 A (160 A bij de XPJ1R004PBA). Beide componenten zijn geschikt voor gepulste stromen (IDP) van 3x deze waarde, dus respectievelijk 600 A en 480 A.

Contactgegevens
Meer nieuws van Toshiba Electronics Europe
Vermogens-MOSFET's met snelle hersteldiodes
Fotorelais voor meet- en testtoepassingen
N-channel MOSFET voor vermogenstoepassingen
Toon volledig overzicht
Meer nieuws over actieve componenten/microcontrollers
Vermogens-MOSFET's met snelle hersteldiodes
Digitale I2C-isolatoren
Intuïtieve motordriver
Toon volledig overzicht
Voorgestelde leveranciers in actieve componenten/microcontrollers
reichelt elektronik
Telerex

Uitgelicht nieuws