Automotive MOSFET’s in nieuwe behuizing

De componenten zijn ondergebracht in een nieuwe S-TOGLTM-behuizing (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) die een aantal voordelen biedt in automotive applicaties. Voor veiligheidskritische toepassingen in de automotive sector, zoals stuur- en rembekrachtiging en autonome aandrijfsystemen, zijn over het algemeen meer componenten nodig dan voor andere systemen om aan de redundantie-eisen te voldoen. Hier is een vermogens-MOSFET met hoge stroomdichtheid vereist vanwege de ruimtelijke beperkingen in dergelijke toepassingen. De nieuwe XPJR6604PB en XPJ1R004PB hebben een V_DSS van 40 V; de XPJR6604PB is geschikt voor een continue drainstroom (I_D) van 200 A (160 A bij de XPJ1R004PBA). Beide componenten zijn geschikt voor gepulste stromen (I_DP) van 3x deze waarde, dus respectievelijk 600 A en 480 A.