Actieve componenten/microcontrollers

19 augustus 2015

20-V chipscale-MOSFET voor mobiele applicaties

De Si8824EDB is een nieuwe 20-V n-kanaal MOSFET van Vishay die in een chipscale-behuizing van 0,8 x 0,8 mm met een dikte van slechts 0,357 mm is ondergebracht.

De component is ontworpen om ruimte en vermogen te sparen, dit laatste vooral in draagbare apparatuur zoals smartphones, tablets maar ook hoorapparaten. Geoptimaliseerd voor gebruik als belastingschakelaar, kleinsignaalschakelaar of high-speed schakelaar in voedingstoepassingen, heeft de component een uiterst geringe on-weerstand van 75 m W bij 4,5 V, 82 m W ï—bij 2,5 V, 90 m W bij 1,8 V, 125 m W bij 1,5 V en 175 m W bij 1,2 V. Deze lage on-weerstand veroorzaakt een geringere spanningsval bij DC en piekstromen, zodat er minder vermogen als nutteloze warmte verloren gaat. De ingebouwde 2000-V ESD-bescherming voorkomt beschadiging van de component door aanraken.