17 oktober 2016
Anorganische dubbele helix
Het leven op aarde heeft zich kunnen ontwikkelen dankzij de stabiele maar toch flexibele dubbele-helix-structuur voor de opslag van genetische informatie. Een onderzoekstem van de technische universiteit van München heeft nu echter een dubbele-helix-structuur in een anorganisch materiaal ontdekt.
Dit materiaal, bestaande uit tin (Sn), jodium (I) en fosfor (P), is een halfgeleider met uitzonderlijke optische en elektronische eigenschappen die daarnaast ook extreem flexibel is. De vezels van dit materiaal met de naam SnIP hebben een lengte in de orde van grootte van een centimeter en kunnen willekeurig sterk worden gebogen zonder te breken. Volgens de onderzoekers is dit overduidelijk een gevolg van de dubbele-helix-structuur. De halfgeleidereigenschappen van SnIP beloven een breed scala aan toepassingsmogelijkheden, variërend van energie-omzetting in zonnecellen en thermo-elektrische elementen tot fotokatalysatoren, sensoren en opto-elektronische elementen. Door het materiaal met andere elementen te verontreinigen (dopen) kunnen de elektronische eigenschappen van het nieuwe materiaal aan een brede reeks toepassingen worden aangepast. De vezels kunnen eenvoudig in dunnere strengen worden gesplitst. De dunste vezels die tot op heden zijn geproduceerd, bestaan uit niet meer dan vijf dubbele-helix-strengen en hebben een dikte van enkele nanometers. Dat zet de deur op een kier naar nano-elektronische toepassingen.
Technical University of Munich
Work group for synthesis and characterization of innovative materials
+49 89 2891 3110
www.acinnomat.ch.tum.de
