Vermogenmodulen

Met deze component kunnen krachtiger, of juist compactere frequentieomvormers worden ontwikkeld. De vermogenstoename is te danken aan een innovatief drukcontactsysteem, een verbeterd koelelement en IGBT4, CAL4 chiptechnologie. Daarnaast worden voor het eerst zes parallelle halve bruggen toegepast aan de hete vermogenskant in plaats van vier wat tot nu toe gebruikelijk is. De halfgeleiderchips worden niet op het keramische substraat gesoldeerd, maar gesinterd, waardoor hogere werktemperaturen toelaatbaar zijn en in bepaalde gevallen tevens de betrouwbaarheid toeneemt. De sinterverbinding bestaat uit een dunne zilverlaag met een lagere thermische weerstand dan een gesoldeerde verbinding. Dankzij het hoge smeltpunt van zilver wordt voortijdige materiaalmoeheid voorkomen. De componenten koellichaam, vermogenmodule, stuurtrap en beveiligingssensoren/functies zijn nauwkeurig op elkaar afgestemd. Hierbij speelt de montage- en aansluittechniek, die is gebaseerd op een druksysteem, een cruciale rol. Afnemers kunnen ook kiezen voor een inbrandtest onder werkelijke bedrijfsomstandigheden met de hoogst toelaatbare junctietemperatuur. De SKiiP4 zal beschikbaar zijn met blokkeerspanningen van 1200 V en 1700 V en met digitale signaaltransmissie voor interferentievrije schakelsignalen en maximale betrouwbaarheid.

direct contact leverancier:
Benno.vanderVeen@semikron.com