Versie 6.3 van COMSOL Multiphysics
Van de modelleersoftware COMSOL Multiphysics is versie 6.3 uitgebracht. Deze versie biedt nieuwe functies…
Op basis van het U-MOS X-H Trench-proces heeft Toshiba een nieuwe N-kanaal vermogens-MOSFET gelanceerd. Deze TPH9R00CQ5 is speciaal ontworpen voor gebruik in krachtige schakelende voedingen zoals worden gebruikt in communicatie-basisstations en andere industriële toepassingen.
Met een maximale VDSS van 150 V en een maximale drainstroom (ID) van 64 A heeft dit onderdeel een zeer lage drain-source on-weerstand RDS(ON) van slechts 9,0 mΩ (max). Dit is een reductie van meer dan 40% ten opzichte van de vorige generatie TPH1500CNH1. In krachtige voedingsschakelingen op basis van synchrone gelijkrichting is het reverse recovery-gedrag belangrijk. Dankzij de opname van een snelle substraatdiode vermindert de nieuwe TPH9R00CQ5 de reverse recovery-lading (Qrr) met ongeveer 74% tot 34 nC typ. in vergelijking met bestaande componenten zoals de TPH9R00CQH. Bovendien is de reverse recovery-tijd (trr) van slechts 40 ns een verbetering van meer dan 40% ten opzichte van eerdere componenten. Samen met een gate-lading (Qg) van slechts 44 nC dragen deze verbeteringen aanzienlijk bij tot geringere verliezen en een hogere vermogensdichtheid in hoogwaardige, efficiënte voedingsoplossingen. Een maximale kanaaltemperatuur van 175 °C is buitengewoon voor MOSFET’s met high-speed diodes en biedt de ontwerper meer thermische speelruimte.
Van de modelleersoftware COMSOL Multiphysics is versie 6.3 uitgebracht. Deze versie biedt nieuwe functies…
De FE910C04 is een lid van de xE910-modulefamilie van Telit Cinterion. Dit product levert…
Met de introductie van de IT6600C bidirectionele DC-voeding en de IT6600D DC-voeding stelt Itech…