SiC-MOSFET’s

Deze zeer veelzijdige componenten zijn geschikt voor gebruik in een breed scala aan veeleisende toepassingen, waaronder schakelende voedingen en ononderbroken voedingen voor servers, datacenters en communicatieapparatuur. Andere toepassingen zijn onder meer hernieuwbare energie, zoals fotovoltaïsche omvormers en bidirectionele DC/DC-omvormers die worden gebruikt voor het opladen van elektrische voertuigen. De nieuwe generatie 1200V SiC MOSFET’s, bestaande uit de TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C en TW140N120C, zijn ondergebracht in een industriestandaard TO-247 behuizing. Ze kunnen stromen tot 100 A verwerken bij R_DS(on)-waarden die zo laag zijn als 15 mΩ. Ook hebben de MOSFET’s een groot gate/source-spanningsbereik van –10 V tot 25 V. De gate-drempelspanning V_GS(th) varieert van 3,0 V tot 5,0 V en zorgt voor een voorspelbaar schakelgedrag.