SiC-MOSFET’s voor HV-elektronica

Microchip breidt daartoe zijn SiC-programma uit met 3,3kV-MOSFET’s met een zeer lage R_DS(on) en met 3,3kV-SiC-SBD’s, zodat ontwerpers kunnen profiteren van robuuste, betrouwbare en optimaal presterende componenten. Veel op silicium gebaseerde ontwerpen bereiken hun grenzen met betrekking tot rendement en systeemkosten. HV-SiC is een bewezen alternatief, maar de verkrijgbaarheid van 3,3-kV SiC-vermogenscomponenten was tot nog toe beperkt. Microchip’s 3,3kV-MOSFET’s en -SBD’s vormen daarom een welkome uitbreiding. De 3,3-kV SiC-vermogenscomponenten omvatten MOSFET’s met een R_DS(on) van slechts 25 mΩ en SBD’s met een stroombereik van 90 A. Zowel MOSFET’s als SBD’s zijn beschikbaar als naakte chip of gemonteerd in een behuizing. Het uitgebreide SiC-programma wordt ondersteund door een reeks van SiC-SPICE-modellen die aansluiten op Microchip’s MPLAB Mindi analoge simulatormodules en de referentie-ontwerpen voor besturingskaarten.