Uitbreiding van het MSM II-platform
Met de MSM II XP breidt SCHURTER het beproefde MSM II-platform uit met een…
Vervaardigd in siliciumcarbide-technologie (SiC) en met een nieuw ontworpen behuizing verlegt de SA111 de grenzen van thermische efficiëntie en vermogensdichtheid in geïntegreerde voedingsmodules.
In een SMT-behuizing met afmetingen van slechts 20 x 20 mm kan de SA111 continue uitgangsstromen tot 32 A leveren, voedingsspanningen tot 650 V verwerken en schakelfrequenties tot 1 MHz halen. De thermisch efficiënte behuizing van deze geïntegreerde voedingsmodule maakt gebruik van warmteafvoer via de bovenzijde, waardoor de gebruiker de layout van de print kan optimaliseren. Dankzij de siliciumcarbide-MOSFET’s van de SA111 is het IC bestand tegen hogere thermische belastingen met maximale junctietemperaturen van 175 °C. Het SA111 SiC-IC biedt een volledig geïntegreerde oplossing die een betere regeling en bescherming mogelijk maakt, met een geïntegreerde gatedriver, onderspannings-lockout en actieve miller-clamping.
Met de MSM II XP breidt SCHURTER het beproefde MSM II-platform uit met een…
Vanaf 20 januari 2027 verandert er veel voor machinebouwers. Dan wordt cybersecurity een vast…
Voor de zwaarste industriële toepassingen presenteert AE Sensors de nieuwe MicroStrain MV7-AR inertial measurement…
