Automotive SiC-FET’s

De Gen 4 SiC-FET’s zijn verkrijgbaar met R_DS(on)-waarden van 6 mΩ tot 70 mΩ, hebben het laagste R_DS(on)x A-product in de branche en worden geleverd in industriestandaard TO -247-3L-, TO-247-4L- en D2PAK-7L-behuizingen, waardoor ze de optimale vermogensoplossing zijn voor tractie-omvormers, boordladers voor EV’s en industriële acculaders. De belangrijkste eigenschappen: maximale V_DS-waarden 750 V en 1200 V; lage R_DS(on) van 6…70 mΩ; gedurende 5 µs kortsluitbestendig @ 6 mΩ; veilige aansturing met standaard 0 V tot 12 V of 15 V gate-stuurspanning.