SiC-vermogensmodules voor PV-inverters

De NXH40B120MNQ-familie van SiC-vermogensmodules integreert een 1200 V/40 mΩ SiC MOSFET en een 1200 V/40 A SiC-boostdiode met dubbele boost-trap. De SiC-technologie garandeert de geringe reverse recovery en de snelle schakelkarakteristieken die nodig zijn om de hoge energie-efficiëntie te bereiken die vereist is in toepassingen zoals zonne-inverters. De NXH40B120MNQ SiC-vermogensmodule is verkrijgbaar in 2- en 3-kanaals uitvoering, en wordt aangevuld door de NXH80B120MNQ0, een 2-kanaals module die een 1200 V/80mΩ SiC MOSFET met een 1200 V/20 A SiC-diode combineert.