MOSFET-stuurtrappen met hoog rendement

Ondergebracht in SOT-23 en 2 x 2 mm DFN-behuizingen behoren de nieuwe componenten tot de kleinste MOSFET-stuurtrappen die momenteel op de markt zijn. De kleine behuizing staat hogere vermogendichtheden toe en biedt compactere oplossingen, waarbij het ontwerp is gericht op snelle schakeltijden en korte vertragingstijden voor snel reagerende schakelingen. Bovendien bieden deze MOSFET-stuurtrappen lage ingangs-drempelspanningen die zijn afgestemd op laagspannings-MCU’s en controllers. De geringe ingangs-drempelspanning van de stuurtrappen is compatibel met vele Microchip PIC-microcontrollers en dsPIC digitale signaalcontrollers, zelfs als die op lagere spanningen werken. Dit maakt het voor klanten mogelijk om toepassingen te ontwerpen met MCU’s die zelfs nog op 2,0 V werken, waarbij de MOSFET-stuurtrap wordt gebruikt om de uitgangssignalen op te voeren naar 18 V. De stuurtrappen zijn ontworpen voor gebruik in voedingen, verlichting, auto-industrie en consumentenelektronica.