18 februari 2025, Productnieuws
GaN-vermogenstransistoren
Vier GaN-on Silicon HEMT-transistoren van Innoscience zijn uitgebracht in een En-FCQFN top-side cooling-behuizing; dit…
Vier GaN-on Silicon HEMT-transistoren van Innoscience zijn uitgebracht in een En-FCQFN top-side cooling-behuizing; dit…
Op basis van VGaN-technologie heeft Innoscience Technology een nieuwe generatie batterijbeheersysteem-oplossingen (BMS) gelanceerd.
Innoscience Technology heeft onlangs de INS1001DE aangekondigd die is ontworpen om eenkanaals GaN HEMT’s…
Voor de zwaarste industriële toepassingen presenteert AE Sensors de nieuwe MicroStrain MV7-AR inertial measurement…
Van 22 tot en met 25 september 2026 staat Rotero op de World of…
De veiligheidslichtschermen PSENopt en PSENopt II van Pilz beschermen medewerkers en machines op een…
