18 februari 2025, Productnieuws
GaN-vermogenstransistoren
Vier GaN-on Silicon HEMT-transistoren van Innoscience zijn uitgebracht in een En-FCQFN top-side cooling-behuizing; dit…
Vier GaN-on Silicon HEMT-transistoren van Innoscience zijn uitgebracht in een En-FCQFN top-side cooling-behuizing; dit…
Op basis van VGaN-technologie heeft Innoscience Technology een nieuwe generatie batterijbeheersysteem-oplossingen (BMS) gelanceerd.
Innoscience Technology heeft onlangs de INS1001DE aangekondigd die is ontworpen om eenkanaals GaN HEMT’s…
Vanaf 20 januari 2027 verandert er veel voor machinebouwers. Dan wordt cybersecurity een vast…
Voor de zwaarste industriële toepassingen presenteert AE Sensors de nieuwe MicroStrain MV7-AR inertial measurement…
Van 22 tot en met 25 september 2026 staat Rotero op de World of…
