18 februari 2025, Productnieuws
GaN-vermogenstransistoren
Vier GaN-on Silicon HEMT-transistoren van Innoscience zijn uitgebracht in een En-FCQFN top-side cooling-behuizing; dit…
Vier GaN-on Silicon HEMT-transistoren van Innoscience zijn uitgebracht in een En-FCQFN top-side cooling-behuizing; dit…
Op basis van VGaN-technologie heeft Innoscience Technology een nieuwe generatie batterijbeheersysteem-oplossingen (BMS) gelanceerd.
Innoscience Technology heeft onlangs de INS1001DE aangekondigd die is ontworpen om eenkanaals GaN HEMT’s…
Van 22 tot en met 25 september 2026 staat Rotero op de World of…
De veiligheidslichtschermen PSENopt en PSENopt II van Pilz beschermen medewerkers en machines op een…
Voor veel organisaties in energie, water, infrastructuur en industrie is het OT-netwerk uitgegroeid tot…
